常复杂，但通过实验的话，就一目了然。

    说白了就是说白了就是在一根管子两端一头通氢气，一头抽真空，到了一千度左右通甲烷等气体就会在铜箔上生长石墨烯。

    最后将它转移到硅片上就行。

    但这样生产出来的石墨烯层数远超十层以上，也就是所谓的次品。

    和真正得单层二维材料（五层以下）相差甚远。

    替换衬底材料的做法已经有许多人试验过并写出了论文，吴斌目前也没有什么新想法，但刚才点亮天赋时的灵光一闪，脑中跳出射频催化四个字。

    这是一种能够增加产量的加工方法，但过程中产生的碳化物和无定形碳会影响石墨烯的质量。

    ‘如果用一种非真空的cvd技术，在多晶ni薄膜上来制作的话，就能一改传统cvd工艺所使用的的气相前驱体，代之用液体乙烷作为前驱体材料，在铜箔表面选择性生长单层石墨烯纳米薄层材料。’

    ‘值得一试！’

    冒出这想法的吴斌开始收集资料数据，在理论成立后他将会去找刘教授申请立课题。

    有了动力的吴斌更加痴迷于待在实验室研究，很快，一周的时间就过去了。

    “吴斌……
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