器......”

    “在加工芯片的过程中，光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上，然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图。”

    “一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、激光刻蚀等工序。经过一次光刻的芯片可以继续涂胶、曝光。”

    “越复杂的芯片，线路图的层数越多，也需要更精密的曝光控制过程。”

    “可能大家不是专业，不知道，光刻机的波长越短，可曝光的特征尺寸就越小，波长越短，就表示光刻的刀锋越锋利，刻蚀对于精度控制要求越高。”

    “还有就是离子束比激动束，有着非常大的能量，能量越大，曝光时间就越短。”

    “而我设计的光刻机，不管是在支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等，理论上都比asml的 euv nxe 3350b强！”

    “他的可见g线：136nm，i线：65nm，深紫外光（duv），krf 准分子离子束：48 
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